Сайт тест режимида ишламоқда

Турсунов Мамасобир Очилдиевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний панжарасидаги марганец ва VI гуруҳ киришма атомларининг ўзаро таъсирлашуви», 01.04.07 - Конденсирланган ҳолат физикаси (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: -   B2022.2.PhD/FM420
Илмий раҳбар: Илиев Халмурат Миджитович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Термиз давлат университети ва Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса (муассасалар) номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, РhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Расмий оппонентлар: Расулов Рустам Явкачович, физика-математика фанлари доктори, профессор. (Фарғона давлат университети)
Хажиев Мардонбек Улуғбекович, физика-математика фанлари номзоди, катта илмий ходим.  (ЎзФА “Физика-Қуёш” ИИБ Физика-техника ниститути); 
Етакчи ташкилот: Самарқанд давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик. 
II. Тадқиқотнинг мақсади:
Монокристалл кремний панжарасида марганец ва VI гуруҳ (О, S, Sе, Те) киришма атомларининг ўзаро таъсирлашувини тадқиқ қилиш. Олинган бинар комплексларнинг физик хоссаларини ўрганиш ҳамда уларни амалиётда қўлланиш имкониятларини аниқлашдан иборат. 
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Mn ва VI гуруҳ атомларининг монокристалл кремнийдаги комплексларини ҳосил қилишнинг оптимал диффузион ва технологик шароитлари тажрибалар натижаси асосида аниқланган. Энг самарали ҳарорат қийматлари кислород ва марганец атомлари учун – Т=1300 °С, олтингугурт ва марганец учун – Т=1100 °С, селен ва марганец учун – Т=820 °С, теллур ва марганец учун – Т=650 °С эканлиги аниқланган;
кремний панжарасида марганец ва VI гуруҳ атомларини ўз ичига олган, Si2MnО, Si2MnS, Si2MnSe ва Si2MnTe кўринишидаги янги комплексларни ҳосил қилиш имконияти кўрсатиб берилган;
илк марта Si2MnSe комлекслари ҳосил қилинган монокристалл кремний асосида яратилаган қуёш элементларида салт юриш кучланиши Uсю~12 % ва қисқа туташув токи Jқт~22 % га ошиши аниқланган;
кремний кристалл панжарасида Si2MnО, Si2MnS, Si2MnSe ва Si2MnTe комплекслари ҳосил бўлишининг физикавий механизмлари яратилган. Mn ва VI гуруҳ атомлари учун Гиббс энергия коэффициенти β =(2÷3)·10-3 эВ/°С га тенглиги аниқланган; 
илк марта экспериментал аниқланган комплекслар концентрацияси асосида кремний панжарасида Mn ва VI гуруҳ атомлари орасидаги боғланиш энергиялари ҳисобланган.
IV.Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремний панжарасидаги марганец ва VI гуруҳ киришма атомларининг ўзаро таъсирлашувини тадқиқ қилиш бўйича олинган натижалар асосида: 
«FOTON» акциядорлик жамияти томонидан кремний асосида юқори сезувчанликга эга фотодиодлар ишлаб чиқаришда эрозиясиз технология ва марганец атомлари ва VI гуруҳ элементлари атомлари билан легирланган кремний материалларини олиш учун ишлаб чиқилган янги икки босқичли диффузион технология жорий этилган ва ишлаб чиқаришда қўлланилган. («UZELTEXSANOAT» акциядорлик жамиятининг 2021 йил 29 декабрдаги 04-3/2817-сон маълумотномаси). Тадқиқот ишининг илмий натижаларини қўллаш «FOTON» АЖ томонидан кремний асосида ишлаб чиқарилган диодлар ва яримўтказгич қурилмаларнинг сезгирлигини ошириш имконини берган. Натижада илмий натижаларни эффективлиги 17÷19 % гача бўлган ФВП ва ФВМ (фотоволтаик панеллар ва модуллар) ишлаб чиқариш учун қўллаш тавсия этилган;
кремний панжарасидаги марганец атомлари ва VI гуруҳ элементлари асосида Si2MnBVI турдаги комплексларни олиш учун ишлаб чиқилган технология «FOTON» акциядорлик жамиятида қўлланилган («UZELTEXSANOAT» акциядорлик жамиятининг 2021 йил 29 декабрдаги 04-3/2817-сон маълумотномаси). Олинган илмий натижаларни қўллаш асосида кремний асосидаги қуёш элементларининг фотосезгирлигини спектрал соҳасини кенгайтиришга эришилган. Натижада ишлаб чиқилган технология эмиттер сирт қаршилигини 12÷14 % га камайтириш ва самарадорлиги юқори (19÷20 %) қуёш батареяларини ишлаб чиқариш учун қўлланилган.

Бош меню

Янгиликларга обуна бўлиш